popis :
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Typ FET :
2 N-Channel (Dual) Common Source
Funkcia FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) :
120V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C :
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.8nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
80pF @ 60V
Prevádzková teplota :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Dodávateľský balík zariadení :
Die