Číslo dielu :
APTM10DHM09T3G
Výrobca :
Microsemi Corporation
popis :
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
Typ FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) :
100V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C :
139A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
350nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
9875pF @ 25V
Prevádzková teplota :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Chassis Mount
Dodávateľský balík zariadení :
SP3