Microsemi Corporation - APTM10DHM09T3G

KEY Part #: K6523797

[4045ks skladom]


    Číslo dielu:
    APTM10DHM09T3G
    Výrobca:
    Microsemi Corporation
    Detailný popis:
    MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3.
    Štandardná dodacia lehota výrobcu:
    Skladom
    Skladovateľnosť:
    Jeden rok
    Čip z:
    Hong Kong
    RoHS:
    Spôsob platby:
    Spôsob prepravy:
    Rodinné kategórie:
    KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Diódy - RF, Diódy - Zenerove - polia, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - JFET and Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché ...
    Konkurenčná výhoda:
    We specialize in Microsemi Corporation APTM10DHM09T3G electronic components. APTM10DHM09T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM10DHM09T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM10DHM09T3G Atribúty produktu

    Číslo dielu : APTM10DHM09T3G
    Výrobca : Microsemi Corporation
    popis : MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
    séria : POWER MOS V®
    Stav časti : Obsolete
    Typ FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    Funkcia FET : Standard
    Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 100V
    Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 139A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 69.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2.5mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 350nC @ 10V
    Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 9875pF @ 25V
    Výkon - Max : 390W
    Prevádzková teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Chassis Mount
    Balík / Prípad : SP3
    Dodávateľský balík zariadení : SP3