Číslo dielu :
SIZF906ADT-T1-GE3
Výrobca :
Vishay Siliconix
popis :
MOSFET DUAL N-CHAN 30V
séria :
TrenchFET® Gen IV
Typ FET :
2 N-Channel (Dual), Schottky
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) :
30V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C :
27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Výkon - Max :
4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Prevádzková teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík / Prípad :
8-PowerWDFN
Dodávateľský balík zariadení :
8-PowerPair® (6x5)