Vishay Siliconix - SI1900DL-T1-E3

KEY Part #: K6524920

SI1900DL-T1-E3 Ceny (USD) [398557ks skladom]

  • 1 pcs$0.09280
  • 3,000 pcs$0.08766

Číslo dielu:
SI1900DL-T1-E3
Výrobca:
Vishay Siliconix
Detailný popis:
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Moduly ovládača napájania, Diódy - Usmerňovače - Polia, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF, Diódy - usmerňovače, Tyristory - SCR - Moduly and Tranzistory - IGBTs - polia ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Siliconix SI1900DL-T1-E3 electronic components. SI1900DL-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1900DL-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1900DL-T1-E3 Atribúty produktu

Číslo dielu : SI1900DL-T1-E3
Výrobca : Vishay Siliconix
popis : MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
séria : TrenchFET®
Stav časti : Active
Typ FET : 2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET : Logic Level Gate
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 30V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 590mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : -
Výkon - Max : 270mW
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík / Prípad : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dodávateľský balík zariadení : SC-70-6 (SOT-363)