Výrobca :
Renesas Electronics America Inc.
popis :
IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC
Riadená konfigurácia :
Half-Bridge
Typ brány :
N-Channel MOSFET
Napätie - napájanie :
9V ~ 14V
Logické napätie - VIL, VIH :
0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Zdroj, Sink) :
2A, 2A
Typ vstupu :
Non-Inverting
Vysoké napätie na strane - Max (Bootstrap) :
114V
Doba vzostupu / pádu (Typ) :
10ns, 10ns
Prevádzková teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík / Prípad :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Dodávateľský balík zariadení :
8-SOIC-EP