Výrobca :
Infineon Technologies
popis :
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP
Riadená konfigurácia :
Half-Bridge
Typ brány :
IGBT, N-Channel MOSFET
Napätie - napájanie :
3.3V ~ 20V
Logické napätie - VIL, VIH :
6V, 9.5V
Current - Peak Output (Zdroj, Sink) :
2A, 2A
Typ vstupu :
Non-Inverting
Vysoké napätie na strane - Max (Bootstrap) :
600V
Doba vzostupu / pádu (Typ) :
25ns, 17ns
Prevádzková teplota :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Through Hole
Balík / Prípad :
16-DIP (0.300", 7.62mm), 14 Leads
Dodávateľský balík zariadení :
16-PDIP