popis :
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
Typ FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcia FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) :
100V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C :
1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.73nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
75pF @ 50V
Prevádzková teplota :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení :
Die