Microsemi Corporation - APTC60DDAM70T1G

KEY Part #: K6522615

APTC60DDAM70T1G Ceny (USD) [2703ks skladom]

  • 1 pcs$16.01999
  • 100 pcs$15.61594

Číslo dielu:
APTC60DDAM70T1G
Výrobca:
Microsemi Corporation
Detailný popis:
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Diódy - usmerňovače, Diódy - RF, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia and Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors) ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Microsemi Corporation APTC60DDAM70T1G electronic components. APTC60DDAM70T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC60DDAM70T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC60DDAM70T1G Atribúty produktu

Číslo dielu : APTC60DDAM70T1G
Výrobca : Microsemi Corporation
popis : MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
séria : CoolMOS™
Stav časti : Active
Typ FET : 2 N Channel (Dual Buck Chopper)
Funkcia FET : Logic Level Gate
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 600V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 259nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 7000pF @ 25V
Výkon - Max : 250W
Prevádzková teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balík / Prípad : SP1
Dodávateľský balík zariadení : SP1