Vishay Siliconix - SI4965DY-T1-GE3

KEY Part #: K6523457

[4159ks skladom]


    Číslo dielu:
    SI4965DY-T1-GE3
    Výrobca:
    Vishay Siliconix
    Detailný popis:
    MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC.
    Štandardná dodacia lehota výrobcu:
    Skladom
    Skladovateľnosť:
    Jeden rok
    Čip z:
    Hong Kong
    RoHS:
    Spôsob platby:
    Spôsob prepravy:
    Rodinné kategórie:
    KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tyristory - SCR, Tranzistory - špeciálny účel, Moduly ovládača napájania, Tranzistory - JFET, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Diódy - Zenerove - polia, Tyristory - DIAC, SIDAC and Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché ...
    Konkurenčná výhoda:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4965DY-T1-GE3 electronic components. SI4965DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4965DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4965DY-T1-GE3 Atribúty produktu

    Číslo dielu : SI4965DY-T1-GE3
    Výrobca : Vishay Siliconix
    popis : MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
    séria : TrenchFET®
    Stav časti : Obsolete
    Typ FET : 2 P-Channel (Dual)
    Funkcia FET : Logic Level Gate
    Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 8V
    Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 8A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 4.5V
    Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Výkon - Max : 2W
    Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík / Prípad : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Dodávateľský balík zariadení : 8-SO