ON Semiconductor - FQD11P06TM

KEY Part #: K6418887

FQD11P06TM Ceny (USD) [252282ks skladom]

  • 1 pcs$0.14661
  • 2,500 pcs$0.12099

Číslo dielu:
FQD11P06TM
Výrobca:
ON Semiconductor
Detailný popis:
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tyristory - TRIAC, Tyristory - SCR, Tranzistory - programovateľné Unijunction, Tranzistory - JFET, Diódy - Usmerňovače - Single, Diódy - RF, Tranzistory - IGBT - Moduly and Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in ON Semiconductor FQD11P06TM electronic components. FQD11P06TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD11P06TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD11P06TM Atribúty produktu

Číslo dielu : FQD11P06TM
Výrobca : ON Semiconductor
popis : MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
séria : QFET®
Stav časti : Active
Typ FET : P-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 60V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 9.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 185 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : D-Pak
Balík / Prípad : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63