Číslo dielu :
MBRT200200R
Výrobca :
GeneSiC Semiconductor
popis :
DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
Konfigurácia diódy :
1 Pair Common Anode
Napätie - DC reverz (Vr) (Max) :
200V
Prúd - priemerný rektifikovaný (Io) (na diódu) :
100A
Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak :
920mV @ 100A
rýchlosť :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Čas spätného obnovenia (trr) :
-
Prúd - reverzný únik @ Vr :
1mA @ 200V
Prevádzková teplota - križovatka :
-55°C ~ 150°C
Typ montáže :
Chassis Mount
Balík / Prípad :
Three Tower
Dodávateľský balík zariadení :
Three Tower