Vishay Siliconix - SIA417DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6407820

[842ks skladom]


    Číslo dielu:
    SIA417DJ-T1-GE3
    Výrobca:
    Vishay Siliconix
    Detailný popis:
    MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6.
    Štandardná dodacia lehota výrobcu:
    Skladom
    Skladovateľnosť:
    Jeden rok
    Čip z:
    Hong Kong
    RoHS:
    Spôsob platby:
    Spôsob prepravy:
    Rodinné kategórie:
    KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - JFET, Moduly ovládača napájania, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Tranzistory - programovateľné Unijunction, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Diódy - usmerňovače and Tranzistory - IGBT - Moduly ...
    Konkurenčná výhoda:
    We specialize in Vishay Siliconix SIA417DJ-T1-GE3 electronic components. SIA417DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA417DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIA417DJ-T1-GE3 Atribúty produktu

    Číslo dielu : SIA417DJ-T1-GE3
    Výrobca : Vishay Siliconix
    popis : MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
    séria : TrenchFET®
    Stav časti : Obsolete
    Typ FET : P-Channel
    technológie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 8V
    Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 12A (Tc)
    Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 7A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±5V
    Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 4V
    Funkcia FET : -
    Zníženie výkonu (Max) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
    Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Dodávateľský balík zariadení : PowerPAK® SC-70-6 Single
    Balík / Prípad : PowerPAK® SC-70-6

    Môže vás tiež zaujímať