Vishay Siliconix - SI4909DY-T1-GE3

KEY Part #: K6522941

SI4909DY-T1-GE3 Ceny (USD) [190084ks skladom]

  • 1 pcs$0.19459
  • 2,500 pcs$0.18272

Číslo dielu:
SI4909DY-T1-GE3
Výrobca:
Vishay Siliconix
Detailný popis:
MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF, Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché, Tranzistory - špeciálny účel, Tranzistory - IGBTs - Single, Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors), Moduly ovládača napájania and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Siliconix SI4909DY-T1-GE3 electronic components. SI4909DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4909DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4909DY-T1-GE3 Atribúty produktu

Číslo dielu : SI4909DY-T1-GE3
Výrobca : Vishay Siliconix
popis : MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
séria : TrenchFET®
Stav časti : Active
Typ FET : 2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET : Logic Level Gate
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 40V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 20V
Výkon - Max : 3.2W
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík / Prípad : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodávateľský balík zariadení : 8-SO

Môže vás tiež zaujímať
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • AO8801AL

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.