Vishay Siliconix - SI7848BDP-T1-GE3

KEY Part #: K6419566

SI7848BDP-T1-GE3 Ceny (USD) [122476ks skladom]

  • 1 pcs$0.30200
  • 3,000 pcs$0.25520

Číslo dielu:
SI7848BDP-T1-GE3
Výrobca:
Vishay Siliconix
Detailný popis:
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Moduly ovládača napájania, Diódy - usmerňovače, Tyristory - SCR - Moduly, Diódy - Usmerňovače - Polia, Tranzistory - FET, MOSFETs - RF and Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Siliconix SI7848BDP-T1-GE3 electronic components. SI7848BDP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7848BDP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7848BDP-T1-GE3 Atribúty produktu

Číslo dielu : SI7848BDP-T1-GE3
Výrobca : Vishay Siliconix
popis : MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
séria : TrenchFET®
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 40V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 47A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 20V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : PowerPAK® SO-8
Balík / Prípad : PowerPAK® SO-8

Môže vás tiež zaujímať