Microsemi Corporation - APTM60H23FT1G

KEY Part #: K6522602

APTM60H23FT1G Ceny (USD) [2511ks skladom]

  • 1 pcs$17.24630
  • 100 pcs$17.02655

Číslo dielu:
APTM60H23FT1G
Výrobca:
Microsemi Corporation
Detailný popis:
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Diódy - RF, Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors), Diódy - Zenerove - polia, Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché, Diódy - usmerňovače, Tyristory - TRIAC and Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Microsemi Corporation APTM60H23FT1G electronic components. APTM60H23FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM60H23FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM60H23FT1G Atribúty produktu

Číslo dielu : APTM60H23FT1G
Výrobca : Microsemi Corporation
popis : MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
séria : -
Stav časti : Active
Typ FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Funkcia FET : Standard
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 600V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 276 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 5316pF @ 25V
Výkon - Max : 208W
Prevádzková teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balík / Prípad : SP1
Dodávateľský balík zariadení : SP1