Výrobca :
GeneSiC Semiconductor
popis :
DIODE MODULE 200V 300A 2TOWER
Konfigurácia diódy :
1 Pair Common Cathode
Napätie - DC reverz (Vr) (Max) :
200V
Prúd - priemerný rektifikovaný (Io) (na diódu) :
300A (DC)
Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak :
1.3V @ 100A
rýchlosť :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Čas spätného obnovenia (trr) :
90ns
Prúd - reverzný únik @ Vr :
25µA @ 50V
Prevádzková teplota - križovatka :
-55°C ~ 150°C
Typ montáže :
Chassis Mount
Balík / Prípad :
Twin Tower
Dodávateľský balík zariadení :
Twin Tower