Ak vaša poloha nie je na zozname, vyberte jednu z nasledujúcich možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ak vaša poloha nie je na zozname, vyberte jednu z nasledujúcich možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domov
  2. Produkty
  3. Integrované obvody (IC)
  4. Pamäť
  5. TH58NVG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TH58NVG2S3HBAI4

KEY Part #: K937269

TH58NVG2S3HBAI4 Ceny (USD) [16322ks skladom]

  • 1 pcs$2.80726
Číslo dielu:
TH58NVG2S3HBAI4
Výrobca:
Toshiba Memory America, Inc.
Detailný popis:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Hodiny / Načasovanie - Špecifické použitie, Rozhranie - priama digitálna syntéza (DDS), PMIC - Regulátory napätia - DC DC prepínacie regul, Rozhranie - analógové prepínače, multiplexory, dem, Vstavané - mikrokontrolér, mikroprocesor, FPGA mod, PMIC - RMS do DC meničov, Ovládače displeja PMIC and Logika - Gates a Invertory ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58NVG2S3HBAI4 electronic components. TH58NVG2S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58NVG2S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58NVG2S3HBAI4 Atribúty produktu

Číslo dielu : TH58NVG2S3HBAI4
Výrobca : Toshiba Memory America, Inc.
popis : 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR
séria : -
Stav časti : Active
Typ pamäte : Non-Volatile
Formát pamäte : FLASH
technológie : FLASH - NAND (SLC)
Veľkosť pamäte : 4Gb (512M x 8)
Hodinová frekvencia : -
Čas zapisovacieho cyklu - slovo, strana : 25ns
Čas prístupu : -
Pamäťové rozhranie : Parallel
Napätie - napájanie : 2.7V ~ 3.6V
Prevádzková teplota : -40°C ~ 85°C (TA)
Typ montáže : Surface Mount
Balík / Prípad : 63-BGA
Dodávateľský balík zariadení : 63-BGA (9x11)

Najnovšie správy

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Môže vás tiež zaujímať
  • MR25H10MDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI

  • AT28C256E-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256F-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K FAST PROG SDP- 150NS IND TEMP

  • AT28C256F-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • IS61NLP25618EC-200TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 256K x 18 Sync SRAM

  • MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 2G 256MX8 FBGA

Horúce časti