Vishay Siliconix - SQJ956EP-T1_GE3

KEY Part #: K6523123

SQJ956EP-T1_GE3 Ceny (USD) [194426ks skladom]

  • 1 pcs$0.19024

Číslo dielu:
SQJ956EP-T1_GE3
Výrobca:
Vishay Siliconix
Detailný popis:
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Diódy - Zenerove - polia, Diódy - usmerňovače, Tyristory - SCR, Diódy - Zener - Single, Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Tranzistory - IGBTs - polia and Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ956EP-T1_GE3 electronic components. SQJ956EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ956EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ956EP-T1_GE3 Atribúty produktu

Číslo dielu : SQJ956EP-T1_GE3
Výrobca : Vishay Siliconix
popis : MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
séria : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav časti : Active
Typ FET : 2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET : Standard
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 60V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26.7 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1395pF @ 30V
Výkon - Max : 34W
Prevádzková teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík / Prípad : PowerPAK® SO-8 Dual
Dodávateľský balík zariadení : PowerPAK® SO-8 Dual

Môže vás tiež zaujímať
  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI7949DP-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8.