Microsemi Corporation - APTMC120HR11CT3AG

KEY Part #: K6523513

[4140ks skladom]


    Číslo dielu:
    APTMC120HR11CT3AG
    Výrobca:
    Microsemi Corporation
    Detailný popis:
    POWER MODULE - SIC MOSFET.
    Štandardná dodacia lehota výrobcu:
    Skladom
    Skladovateľnosť:
    Jeden rok
    Čip z:
    Hong Kong
    RoHS:
    Spôsob platby:
    Spôsob prepravy:
    Rodinné kategórie:
    KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché, Diódy - Usmerňovače - Single, Tranzistory - špeciálny účel, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - programovateľné Unijunction and Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors) ...
    Konkurenčná výhoda:
    We specialize in Microsemi Corporation APTMC120HR11CT3AG electronic components. APTMC120HR11CT3AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTMC120HR11CT3AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTMC120HR11CT3AG Atribúty produktu

    Číslo dielu : APTMC120HR11CT3AG
    Výrobca : Microsemi Corporation
    popis : POWER MODULE - SIC MOSFET
    séria : -
    Stav časti : Active
    Typ FET : 2 N-Channel (Dual)
    Funkcia FET : Silicon Carbide (SiC)
    Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 1200V (1.2kV)
    Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 26A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 98 mOhm @ 20A, 20V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 5mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 20V
    Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 1000V
    Výkon - Max : 125W
    Prevádzková teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Chassis Mount
    Balík / Prípad : Module
    Dodávateľský balík zariadení : SP3