Výrobca :
GeneSiC Semiconductor
popis :
DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
Konfigurácia diódy :
1 Pair Common Cathode
Napätie - DC reverz (Vr) (Max) :
35V
Prúd - priemerný rektifikovaný (Io) (na diódu) :
120A (DC)
Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak :
650mV @ 120A
rýchlosť :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Čas spätného obnovenia (trr) :
-
Prúd - reverzný únik @ Vr :
3mA @ 20V
Prevádzková teplota - križovatka :
-55°C ~ 150°C
Typ montáže :
Chassis Mount
Balík / Prípad :
Twin Tower
Dodávateľský balík zariadení :
Twin Tower