Číslo dielu :
RN1705JE(TE85L,F)
Výrobca :
Toshiba Semiconductor and Storage
popis :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Typ tranzistora :
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Prúd - kolektor (Ic) (Max) :
100mA
Napätie - Rozdelenie vysielača kolektora (Max) :
50V
Rezistor - základňa (R1) \ t :
2.2 kOhms
Rezistor - Emitter Base (R2) :
47 kOhms
Zisk prúdu DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - Odpojenie kolektora (Max) :
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod :
250MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení :
ESV