popis :
IC HIGH CURR GATE DRVR 9A TO-263
Riadená konfigurácia :
Low-Side
Typ brány :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Napätie - napájanie :
4.5V ~ 35V
Logické napätie - VIL, VIH :
0.8V, 3.5V
Current - Peak Output (Zdroj, Sink) :
9A, 9A
Typ vstupu :
Non-Inverting
Vysoké napätie na strane - Max (Bootstrap) :
-
Doba vzostupu / pádu (Typ) :
10ns, 10ns
Prevádzková teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík / Prípad :
TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Dodávateľský balík zariadení :
TO-263 (D²Pak)