Microsemi Corporation - APTM120H29FG

KEY Part #: K6522643

APTM120H29FG Ceny (USD) [414ks skladom]

  • 1 pcs$147.39494
  • 10 pcs$140.27951
  • 25 pcs$135.19703

Číslo dielu:
APTM120H29FG
Výrobca:
Microsemi Corporation
Detailný popis:
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - IGBTs - polia, Tyristory - SCR - Moduly, Diódy - Usmerňovače - Polia, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Tyristory - DIAC, SIDAC, Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia and Tyristory - TRIAC ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Microsemi Corporation APTM120H29FG electronic components. APTM120H29FG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120H29FG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120H29FG Atribúty produktu

Číslo dielu : APTM120H29FG
Výrobca : Microsemi Corporation
popis : MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
séria : POWER MOS 7®
Stav časti : Active
Typ FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Funkcia FET : Standard
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 374nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 10300pF @ 25V
Výkon - Max : 780W
Prevádzková teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balík / Prípad : SP6
Dodávateľský balík zariadení : SP6