IXYS - IXTP160N10T

KEY Part #: K6400394

IXTP160N10T Ceny (USD) [27344ks skladom]

  • 1 pcs$1.65703
  • 10 pcs$1.47855
  • 100 pcs$1.21241
  • 500 pcs$0.93141
  • 1,000 pcs$0.78553

Číslo dielu:
IXTP160N10T
Výrobca:
IXYS
Detailný popis:
MOSFET N-CH 100V 160A TO-220.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - JFET, Tranzistory - programovateľné Unijunction, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in IXYS IXTP160N10T electronic components. IXTP160N10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP160N10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP160N10T Atribúty produktu

Číslo dielu : IXTP160N10T
Výrobca : IXYS
popis : MOSFET N-CH 100V 160A TO-220
séria : TrenchMV™
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 100V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 160A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 132nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 25V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 430W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Dodávateľský balík zariadení : TO-220AB
Balík / Prípad : TO-220-3