Vishay Siliconix - SI4214DDY-T1-GE3

KEY Part #: K6525417

SI4214DDY-T1-GE3 Ceny (USD) [315289ks skladom]

  • 1 pcs$0.11731
  • 2,500 pcs$0.11039

Číslo dielu:
SI4214DDY-T1-GE3
Výrobca:
Vishay Siliconix
Detailný popis:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Diódy - RF, Diódy - Zener - Single, Tranzistory - špeciálny účel, Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché, Tyristory - SCR, Diódy - Zenerove - polia, Tranzistory - FET, MOSFETs - RF and Moduly ovládača napájania ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Siliconix SI4214DDY-T1-GE3 electronic components. SI4214DDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4214DDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4214DDY-T1-GE3 Atribúty produktu

Číslo dielu : SI4214DDY-T1-GE3
Výrobca : Vishay Siliconix
popis : MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
séria : TrenchFET®
Stav časti : Active
Typ FET : 2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET : Logic Level Gate
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 30V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 8.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V
Výkon - Max : 3.1W
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík / Prípad : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodávateľský balík zariadení : 8-SO