IDC28D120T6MX1SA2 Ceny (USD) [19939ks skladom]
- 1 pcs$2.06688
- Číslo dielu:
- IDC28D120T6MX1SA2
- Výrobca:
- Infineon Technologies
- Detailný popis:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER.
- Štandardná dodacia lehota výrobcu:
- Skladom
- Skladovateľnosť:
- Jeden rok
- Čip z:
- Hong Kong
- RoHS:
- Spôsob platby:
-
- Spôsob prepravy:
- Rodinné kategórie:
- KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Diódy - Zenerove - polia, Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors), Diódy - Usmerňovače - Polia, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Diódy - Usmerňovače - Single, Tranzistory - IGBTs - polia and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia ...
- Konkurenčná výhoda:
- We specialize in Infineon Technologies IDC28D120T6MX1SA2 electronic components. IDC28D120T6MX1SA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDC28D120T6MX1SA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDC28D120T6MX1SA2 Atribúty produktu
Číslo dielu :
IDC28D120T6MX1SA2
Výrobca :
Infineon Technologies
popis :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
séria :
-
Stav časti :
Active
Typ diódy :
Standard
Napätie - DC reverz (Vr) (Max) :
1200V
Prúd - priemerný rektifikovaný (Io) :
50A
Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak :
2.05V @ 50A
rýchlosť :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Čas spätného obnovenia (trr) :
-
Prúd - reverzný únik @ Vr :
10µA @ 1200V
Kapacita @ Vr, F :
-
Typ montáže :
Surface Mount
Balík / Prípad :
Die
Dodávateľský balík zariadení :
Sawn on foil
Prevádzková teplota - križovatka :
-40°C ~ 175°C
Najnovšie správy
Môže vás tiež zaujímať
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Horúce časti
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A