Ak vaša poloha nie je na zozname, vyberte jednu z nasledujúcich možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ak vaša poloha nie je na zozname, vyberte jednu z nasledujúcich možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domov
  2. Produkty
  3. Diskrétne polovodičové produkty
  4. Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia
  5. EPC2103ENG

EPC - EPC2103ENG

KEY Part #: K6523725

[4069ks skladom]

    Číslo dielu:
    EPC2103ENG
    Výrobca:
    EPC
    Detailný popis:
    GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE.
    Štandardná dodacia lehota výrobcu:
    Skladom
    Skladovateľnosť:
    Jeden rok
    Čip z:
    Hong Kong
    RoHS:
    Spôsob platby:
    Spôsob prepravy:
    Rodinné kategórie:
    KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - FET, MOSFETs - RF, Diódy - usmerňovače, Diódy - Usmerňovače - Polia, Tyristory - SCR - Moduly, Diódy - Usmerňovače - Single, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF and Tyristory - SCR ...
    Konkurenčná výhoda:
    We specialize in EPC EPC2103ENG electronic components. EPC2103ENG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2103ENG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EPC2103ENG Atribúty produktu

    Číslo dielu : EPC2103ENG
    Výrobca : EPC
    popis : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
    séria : eGaN®
    Stav časti : Active
    Typ FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
    Funkcia FET : GaNFET (Gallium Nitride)
    Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 80V
    Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 23A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 5V
    Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 40V
    Výkon - Max : -
    Prevádzková teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík / Prípad : Die
    Dodávateľský balík zariadení : Die
    Môže vás tiež zaujímať
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • STC6NF30V

      STMicroelectronics

      MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP.

    • AO8822#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8814#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP.

    • AO8810#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8804_100

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V.

    Horúce časti