ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16640C-3DBLA1-TR

KEY Part #: K938173

IS46DR16640C-3DBLA1-TR Ceny (USD) [19456ks skladom]

  • 1 pcs$2.35509

Číslo dielu:
IS46DR16640C-3DBLA1-TR
Výrobca:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detailný popis:
IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ. DRAM Automotive 1G 1.8V DDR2 64Mx16 333MHz
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Rozhranie - Terminátory signálu, PMIC - Osvetlenie, Regulátory predradníkov, Lineárne zosilňovače - prístrojové vybavenie, zosi, Interface - Sensor, Capacitive Touch, Pamäť - konfigurácia Proms pre FPGA, Hodiny / Načasovanie - Špecifické použitie, Logika - Multivibratory and Logika - brány a meniče - multifunkčné, konfigurov ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-3DBLA1-TR electronic components. IS46DR16640C-3DBLA1-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46DR16640C-3DBLA1-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46DR16640C-3DBLA1-TR Atribúty produktu

Číslo dielu : IS46DR16640C-3DBLA1-TR
Výrobca : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
popis : IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ
séria : -
Stav časti : Active
Typ pamäte : Volatile
Formát pamäte : DRAM
technológie : SDRAM - DDR2
Veľkosť pamäte : 1Gb (64M x 16)
Hodinová frekvencia : 333MHz
Čas zapisovacieho cyklu - slovo, strana : 15ns
Čas prístupu : 450ps
Pamäťové rozhranie : Parallel
Napätie - napájanie : 1.7V ~ 1.9V
Prevádzková teplota : -40°C ~ 85°C (TA)
Typ montáže : Surface Mount
Balík / Prípad : 84-TFBGA
Dodávateľský balík zariadení : 84-TWBGA (8x12.5)

Najnovšie správy

Môže vás tiež zaujímať
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)