STMicroelectronics - STI30NM60N

KEY Part #: K6415460

[12402ks skladom]


    Číslo dielu:
    STI30NM60N
    Výrobca:
    STMicroelectronics
    Detailný popis:
    MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK.
    Štandardná dodacia lehota výrobcu:
    Skladom
    Skladovateľnosť:
    Jeden rok
    Čip z:
    Hong Kong
    RoHS:
    Spôsob platby:
    Spôsob prepravy:
    Rodinné kategórie:
    KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - programovateľné Unijunction, Tyristory - SCR - Moduly, Diódy - RF, Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - JFET and Tranzistory - IGBTs - Single ...
    Konkurenčná výhoda:
    We specialize in STMicroelectronics STI30NM60N electronic components. STI30NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STI30NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STI30NM60N Atribúty produktu

    Číslo dielu : STI30NM60N
    Výrobca : STMicroelectronics
    popis : MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
    séria : MDmesh™ II
    Stav časti : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    technológie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 600V
    Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 25A (Tc)
    Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 12.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 91nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 50V
    Funkcia FET : -
    Zníženie výkonu (Max) : 190W (Tc)
    Prevádzková teplota : 150°C (TJ)
    Typ montáže : Through Hole
    Dodávateľský balík zariadení : I2PAK (TO-262)
    Balík / Prípad : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA