Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J207FE,LF

KEY Part #: K6421546

SSM6J207FE,LF Ceny (USD) [776433ks skladom]

  • 1 pcs$0.05267
  • 4,000 pcs$0.05240

Číslo dielu:
SSM6J207FE,LF
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detailný popis:
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Tyristory - TRIAC, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - FET, MOSFETs - RF, Tyristory - DIAC, SIDAC and Tranzistory - IGBTs - Single ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J207FE,LF electronic components. SSM6J207FE,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J207FE,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J207FE,LF Atribúty produktu

Číslo dielu : SSM6J207FE,LF
Výrobca : Toshiba Semiconductor and Storage
popis : MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
séria : U-MOSII
Stav časti : Active
Typ FET : P-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 30V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 1.4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 251 mOhm @ 650mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 137pF @ 15V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 500mW (Ta)
Prevádzková teplota : 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : ES6 (1.6x1.6)
Balík / Prípad : SOT-563, SOT-666