Číslo dielu :
GSID600A120S4B1
Výrobca :
Global Power Technologies Group
popis :
SILICON IGBT MODULES
konfigurácia :
Half Bridge
Napätie - Rozdelenie vysielača kolektora (Max) :
1200V
Prúd - kolektor (Ic) (Max) :
1130A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 600A
Prúd - Odpojenie kolektora (Max) :
1mA
Vstupná kapacita (Cies) @ Vce :
51nF @ 25V
Prevádzková teplota :
-40°C ~ 150°C
Typ montáže :
Chassis Mount
Dodávateľský balík zariadení :
Module