Vishay Siliconix - SI2307CDS-T1-GE3

KEY Part #: K6418323

SI2307CDS-T1-GE3 Ceny (USD) [561959ks skladom]

  • 1 pcs$0.06582
  • 3,000 pcs$0.05958

Číslo dielu:
SI2307CDS-T1-GE3
Výrobca:
Vishay Siliconix
Detailný popis:
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Diódy - Zener - Single, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF, Diódy - Zenerove - polia, Moduly ovládača napájania, Tranzistory - špeciálny účel, Diódy - Usmerňovače - Single, Tranzistory - programovateľné Unijunction and Tranzistory - IGBT - Moduly ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Siliconix SI2307CDS-T1-GE3 electronic components. SI2307CDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2307CDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2307CDS-T1-GE3 Atribúty produktu

Číslo dielu : SI2307CDS-T1-GE3
Výrobca : Vishay Siliconix
popis : MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
séria : TrenchFET®
Stav časti : Active
Typ FET : P-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 30V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 3.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 15V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : SOT-23-3 (TO-236)
Balík / Prípad : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Môže vás tiež zaujímať
  • IRFS7437TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.