Infineon Technologies - BSC097N06NSTATMA1

KEY Part #: K6420724

BSC097N06NSTATMA1 Ceny (USD) [238787ks skladom]

  • 1 pcs$0.15490

Číslo dielu:
BSC097N06NSTATMA1
Výrobca:
Infineon Technologies
Detailný popis:
DIFFERENTIATED MOSFETS.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - špeciálny účel, Diódy - Zenerove - polia, Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - programovateľné Unijunction, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - IGBTs - polia and Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Infineon Technologies BSC097N06NSTATMA1 electronic components. BSC097N06NSTATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC097N06NSTATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC097N06NSTATMA1 Atribúty produktu

Číslo dielu : BSC097N06NSTATMA1
Výrobca : Infineon Technologies
popis : DIFFERENTIATED MOSFETS
séria : OptiMOS™
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 60V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 13A (Ta), 48A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 14µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1075pF @ 30V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 3W (Ta), 43W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : PG-TDSON-8
Balík / Prípad : 8-PowerTDFN

Môže vás tiež zaujímať