IXYS - IXFT30N60P

KEY Part #: K6394971

IXFT30N60P Ceny (USD) [14810ks skladom]

  • 1 pcs$3.21592
  • 30 pcs$3.19992

Číslo dielu:
IXFT30N60P
Výrobca:
IXYS
Detailný popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Diódy - RF, Tranzistory - IGBTs - polia, Diódy - Zener - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in IXYS IXFT30N60P electronic components. IXFT30N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT30N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT30N60P Atribúty produktu

Číslo dielu : IXFT30N60P
Výrobca : IXYS
popis : MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
séria : HiPerFET™, PolarHT™
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 600V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 4000pF @ 25V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 500W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : TO-268
Balík / Prípad : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA