Microsemi Corporation - APTM120H140FT1G

KEY Part #: K6522571

APTM120H140FT1G Ceny (USD) [2247ks skladom]

  • 1 pcs$19.26652
  • 100 pcs$19.03968

Číslo dielu:
APTM120H140FT1G
Výrobca:
Microsemi Corporation
Detailný popis:
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Diódy - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - IGBTs - polia, Diódy - Usmerňovače - Polia, Diódy - Zener - Single, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated and Tranzistory - IGBT - Moduly ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Microsemi Corporation APTM120H140FT1G electronic components. APTM120H140FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120H140FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120H140FT1G Atribúty produktu

Číslo dielu : APTM120H140FT1G
Výrobca : Microsemi Corporation
popis : MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
séria : -
Stav časti : Active
Typ FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Funkcia FET : Standard
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.68 Ohm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 145nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 3812pF @ 25V
Výkon - Max : 208W
Prevádzková teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balík / Prípad : SP1
Dodávateľský balík zariadení : SP1