Vishay Siliconix - SI4114DY-T1-E3

KEY Part #: K6419364

SI4114DY-T1-E3 Ceny (USD) [107279ks skladom]

  • 1 pcs$0.34478
  • 2,500 pcs$0.32302

Číslo dielu:
SI4114DY-T1-E3
Výrobca:
Vishay Siliconix
Detailný popis:
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Diódy - RF, Diódy - Zenerove - polia, Tranzistory - FET, MOSFETs - RF, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - JFET and Tranzistory - špeciálny účel ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Siliconix SI4114DY-T1-E3 electronic components. SI4114DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4114DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4114DY-T1-E3 Atribúty produktu

Číslo dielu : SI4114DY-T1-E3
Výrobca : Vishay Siliconix
popis : MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
séria : TrenchFET®
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 20V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 3700pF @ 10V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : 8-SO
Balík / Prípad : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Môže vás tiež zaujímať