Microsemi Corporation - APTMC120AM08CD3AG

KEY Part #: K6522102

[76ks skladom]


    Číslo dielu:
    APTMC120AM08CD3AG
    Výrobca:
    Microsemi Corporation
    Detailný popis:
    MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3.
    Štandardná dodacia lehota výrobcu:
    Skladom
    Skladovateľnosť:
    Jeden rok
    Čip z:
    Hong Kong
    RoHS:
    Spôsob platby:
    Spôsob prepravy:
    Rodinné kategórie:
    KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Diódy - Zener - Single, Diódy - Usmerňovače - Polia, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF and Tranzistory - IGBTs - polia ...
    Konkurenčná výhoda:
    We specialize in Microsemi Corporation APTMC120AM08CD3AG electronic components. APTMC120AM08CD3AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTMC120AM08CD3AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTMC120AM08CD3AG Atribúty produktu

    Číslo dielu : APTMC120AM08CD3AG
    Výrobca : Microsemi Corporation
    popis : MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
    séria : -
    Stav časti : Active
    Typ FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
    Funkcia FET : Silicon Carbide (SiC)
    Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 1200V (1.2kV)
    Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 250A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 200A, 20V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 10mA (Typ)
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 490nC @ 20V
    Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 9500pF @ 1000V
    Výkon - Max : 1100W
    Prevádzková teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Chassis Mount
    Balík / Prípad : D-3 Module
    Dodávateľský balík zariadení : D3