Toshiba Semiconductor and Storage - TPW4R50ANH,L1Q

KEY Part #: K6416395

TPW4R50ANH,L1Q Ceny (USD) [122345ks skladom]

  • 1 pcs$0.31034
  • 5,000 pcs$0.30880

Číslo dielu:
TPW4R50ANH,L1Q
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detailný popis:
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - JFET, Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché, Tyristory - SCR, Diódy - Zener - Single, Tranzistory - programovateľné Unijunction, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - špeciálny účel and Tranzistory - IGBTs - polia ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH,L1Q electronic components. TPW4R50ANH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPW4R50ANH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPW4R50ANH,L1Q Atribúty produktu

Číslo dielu : TPW4R50ANH,L1Q
Výrobca : Toshiba Semiconductor and Storage
popis : MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
séria : U-MOSVIII-H
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 100V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 92A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 50V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 800mW (Ta), 142W (Tc)
Prevádzková teplota : 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : 8-DSOP Advance
Balík / Prípad : 8-PowerVDFN