Diodes Incorporated - ZXM66N03N8TA

KEY Part #: K6413854

[12956ks skladom]


    Číslo dielu:
    ZXM66N03N8TA
    Výrobca:
    Diodes Incorporated
    Detailný popis:
    MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC.
    Štandardná dodacia lehota výrobcu:
    Skladom
    Skladovateľnosť:
    Jeden rok
    Čip z:
    Hong Kong
    RoHS:
    Spôsob platby:
    Spôsob prepravy:
    Rodinné kategórie:
    KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF, Diódy - usmerňovače, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Tyristory - SCR, Tranzistory - IGBTs - polia, Moduly ovládača napájania and Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché ...
    Konkurenčná výhoda:
    We specialize in Diodes Incorporated ZXM66N03N8TA electronic components. ZXM66N03N8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXM66N03N8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZXM66N03N8TA Atribúty produktu

    Číslo dielu : ZXM66N03N8TA
    Výrobca : Diodes Incorporated
    popis : MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
    séria : -
    Stav časti : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    technológie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 30V
    Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 9A (Ta)
    Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 7.3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Funkcia FET : -
    Zníženie výkonu (Max) : 2.5W (Ta)
    Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Dodávateľský balík zariadení : 8-SO
    Balík / Prípad : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Môže vás tiež zaujímať
    • IRF5803

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5806

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP.

    • ZVN4206AVSTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • ZVN3310ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • IRLR3715

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

    • IRLR3714

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 36A DPAK.