GeneSiC Semiconductor - MBR600200CTR

KEY Part #: K6468517

Detailný popis:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Reverse

Rodinné kategórie:: KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Tranzistory - JFET, Diódy - Usmerňovače - Polia, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Diódy - RF, Diódy - Zenerove - polia, Tranzistory - IGBT - Moduly and Tyristory - SCR ...

Konkurenčná výhoda:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR electronic components. MBR600200CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Číslo dielu : MBR600200CTR

Výrobca : GeneSiC Semiconductor

popis : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

séria : -

Stav časti : Active

Konfigurácia diódy : 1 Pair Common Anode

Typ diódy : Schottky

Napätie - DC reverz (Vr) (Max) : 200V

Prúd - priemerný rektifikovaný (Io) (na diódu) : 300A

Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak : 920mV @ 300A

rýchlosť : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Čas spätného obnovenia (trr) : -

Prúd - reverzný únik @ Vr : 3mA @ 200V

Prevádzková teplota - križovatka : -55°C ~ 150°C

Typ montáže : Chassis Mount

Balík / Prípad : Twin Tower

Dodávateľský balík zariadení : Twin Tower

Môže vás tiež zaujímať

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
MMBF4416A

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 15MA SOT23.
2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

JFET N-CH SOT23.
BF999E6327HTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.
MMBD1405A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
BAS4005E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

Horúce časti