Výrobca :
Infineon Technologies
popis :
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
Riadená konfigurácia :
Half-Bridge
Typ brány :
IGBT, N-Channel MOSFET
Napätie - napájanie :
10V ~ 20V
Logické napätie - VIL, VIH :
6V, 9.5V
Current - Peak Output (Zdroj, Sink) :
250mA, 500mA
Typ vstupu :
Non-Inverting
Vysoké napätie na strane - Max (Bootstrap) :
600V
Doba vzostupu / pádu (Typ) :
80ns, 40ns
Prevádzková teplota :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík / Prípad :
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Dodávateľský balík zariadení :
16-SOIC