Microsemi Corporation - APTM100H35FT3G

KEY Part #: K6522678

APTM100H35FT3G Ceny (USD) [934ks skladom]

  • 1 pcs$50.00678
  • 100 pcs$49.75799

Číslo dielu:
APTM100H35FT3G
Výrobca:
Microsemi Corporation
Detailný popis:
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Diódy - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia, Diódy - Usmerňovače - Single, Diódy - Usmerňovače - Polia, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FET, MOSFETs - RF and Moduly ovládača napájania ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Microsemi Corporation APTM100H35FT3G electronic components. APTM100H35FT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100H35FT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100H35FT3G Atribúty produktu

Číslo dielu : APTM100H35FT3G
Výrobca : Microsemi Corporation
popis : MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
séria : -
Stav časti : Active
Typ FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Funkcia FET : Standard
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 1000V (1kV)
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 25V
Výkon - Max : 390W
Prevádzková teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balík / Prípad : SP3
Dodávateľský balík zariadení : SP3