Microsemi Corporation - APTGT200DH120G

KEY Part #: K6533091

APTGT200DH120G Ceny (USD) [819ks skladom]

  • 1 pcs$56.74583
  • 100 pcs$54.31085

Číslo dielu:
APTGT200DH120G
Výrobca:
Microsemi Corporation
Detailný popis:
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Diódy - Zener - Single, Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché, Diódy - usmerňovače, Tranzistory - IGBT - Moduly and Diódy - RF ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT200DH120G electronic components. APTGT200DH120G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT200DH120G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200DH120G Atribúty produktu

Číslo dielu : APTGT200DH120G
Výrobca : Microsemi Corporation
popis : IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
séria : -
Stav časti : Active
Typ IGBT : Trench Field Stop
konfigurácia : Asymmetrical Bridge
Napätie - Rozdelenie vysielača kolektora (Max) : 1200V
Prúd - kolektor (Ic) (Max) : 280A
Výkon - Max : 890W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Prúd - Odpojenie kolektora (Max) : 350µA
Vstupná kapacita (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
vstup : Standard
Termistor NTC : No
Prevádzková teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balík / Prípad : SP6
Dodávateľský balík zariadení : SP6