Infineon Technologies - BSC047N08NS3GATMA1

KEY Part #: K6418748

BSC047N08NS3GATMA1 Ceny (USD) [75737ks skladom]

  • 1 pcs$0.51627
  • 5,000 pcs$0.45224

Číslo dielu:
BSC047N08NS3GATMA1
Výrobca:
Infineon Technologies
Detailný popis:
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - IGBTs - polia, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia, Moduly ovládača napájania, Diódy - Usmerňovače - Polia and Tyristory - SCR - Moduly ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Infineon Technologies BSC047N08NS3GATMA1 electronic components. BSC047N08NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC047N08NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC047N08NS3GATMA1 Atribúty produktu

Číslo dielu : BSC047N08NS3GATMA1
Výrobca : Infineon Technologies
popis : MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
séria : OptiMOS™
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 80V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 18A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 4800pF @ 40V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : PG-TDSON-8
Balík / Prípad : 8-PowerTDFN