ON Semiconductor - HGTP10N120BN

KEY Part #: K6424877

HGTP10N120BN Ceny (USD) [52422ks skladom]

  • 1 pcs$0.74960
  • 800 pcs$0.74587

Číslo dielu:
HGTP10N120BN
Výrobca:
ON Semiconductor
Detailný popis:
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF, Diódy - usmerňovače, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia, Tranzistory - JFET, Tranzistory - špeciálny účel, Diódy - Zener - Single and Tranzistory - programovateľné Unijunction ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in ON Semiconductor HGTP10N120BN electronic components. HGTP10N120BN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTP10N120BN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTP10N120BN Atribúty produktu

Číslo dielu : HGTP10N120BN
Výrobca : ON Semiconductor
popis : IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
séria : -
Stav časti : Not For New Designs
Typ IGBT : NPT
Napätie - Rozdelenie vysielača kolektora (Max) : 1200V
Prúd - kolektor (Ic) (Max) : 35A
Prúd - zberač impulzný (Icm) : 80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A
Výkon - Max : 298W
Prepínanie energie : 320µJ (on), 800µJ (off)
Typ vstupu : Standard
Gate Charge : 100nC
Td (zap / vyp) pri 25 ° C : 23ns/165ns
Podmienky testu : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Čas spätného obnovenia (trr) : -
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balík / Prípad : TO-220-3
Dodávateľský balík zariadení : TO-220-3