Číslo dielu :
HGTP10N120BN
Výrobca :
ON Semiconductor
popis :
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Stav časti :
Not For New Designs
Napätie - Rozdelenie vysielača kolektora (Max) :
1200V
Prúd - kolektor (Ic) (Max) :
35A
Prúd - zberač impulzný (Icm) :
80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 10A
Prepínanie energie :
320µJ (on), 800µJ (off)
Td (zap / vyp) pri 25 ° C :
23ns/165ns
Podmienky testu :
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Čas spätného obnovenia (trr) :
-
Prevádzková teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Through Hole
Balík / Prípad :
TO-220-3
Dodávateľský balík zariadení :
TO-220-3