Microsemi Corporation - APT64GA90B2D30

KEY Part #: K6421738

APT64GA90B2D30 Ceny (USD) [6891ks skladom]

1 pcs$5.98030
10 pcs$5.43736
25 pcs$5.02944
100 pcs$4.62171
250 pcs$4.21392
500 pcs$3.94206

Číslo dielu:: APT64GA90B2D30

Výrobca:: Microsemi Corporation

Detailný popis:: IGBT 900V 117A 500W TO-247.

Štandardná dodacia lehota výrobcu:: Skladom

Skladovateľnosť:: Jeden rok

Čip z:: Hong Kong

RoHS:

Spôsob platby:

Spôsob prepravy:

Rodinné kategórie:: KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Diódy - Zenerove - polia, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF, Diódy - Usmerňovače - Polia, Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché and Tranzistory - špeciálny účel ...

Konkurenčná výhoda:: We specialize in Microsemi Corporation APT64GA90B2D30 electronic components. APT64GA90B2D30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT64GA90B2D30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT64GA90B2D30 Atribúty produktu

Číslo dielu : APT64GA90B2D30

Výrobca : Microsemi Corporation

popis : IGBT 900V 117A 500W TO-247

séria : POWER MOS 8™

Stav časti : Active

Typ IGBT : PT

Napätie - Rozdelenie vysielača kolektora (Max) : 900V

Prúd - kolektor (Ic) (Max) : 117A

Prúd - zberač impulzný (Icm) : 193A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.1V @ 15V, 38A

Výkon - Max : 500W

Prepínanie energie : 1192µJ (on), 1088µJ (off)

Typ vstupu : Standard

Gate Charge : 162nC

Td (zap / vyp) pri 25 ° C : 18ns/131ns

Podmienky testu : 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V

Čas spätného obnovenia (trr) : -

Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže : Through Hole

Balík / Prípad : TO-247-3 Variant

Dodávateľský balík zariadení : -

Najnovšie správy

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

Môže vás tiež zaujímať

FGD3N60LSDTM

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 40W DPAK.
FDV301N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23.
SSM3J325F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.
BSS138

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.
BSS123NH6433XTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.
BSS7728NH6327XTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.

English Slovenská