S29GL512S10DHSS60 Ceny (USD) [16028ks skladom]
- 1 pcs$2.85887
- Číslo dielu:
- S29GL512S10DHSS60
- Výrobca:
- Cypress Semiconductor Corp
- Detailný popis:
- IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA. NOR Flash Nor
- Štandardná dodacia lehota výrobcu:
- Skladom
- Skladovateľnosť:
- Jeden rok
- Čip z:
- Hong Kong
- RoHS:
- Spôsob platby:
-
- Spôsob prepravy:
- Rodinné kategórie:
- KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: PMIC - OR kontroléry, ideálne diódy, Lineárne - Zosilňovače - Video zosilňovače a modul, Logické - Shift registre, Zber údajov - Digitálne prevodníky na analógový si, Logika - Komparátory, Ovládače displeja PMIC, Lineárne - analógové multiplikátory, deliče and PMIC - Osvetlenie, Regulátory predradníkov ...
- Konkurenčná výhoda:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp S29GL512S10DHSS60 electronic components. S29GL512S10DHSS60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S29GL512S10DHSS60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S29GL512S10DHSS60 Atribúty produktu
Číslo dielu :
S29GL512S10DHSS60
Výrobca :
Cypress Semiconductor Corp
popis :
IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
séria :
GL-S
Stav časti :
Active
Typ pamäte :
Non-Volatile
Formát pamäte :
FLASH
technológie :
FLASH - NOR
Veľkosť pamäte :
512Mb (32M x 16)
Hodinová frekvencia :
-
Čas zapisovacieho cyklu - slovo, strana :
60ns
Čas prístupu :
100ns
Pamäťové rozhranie :
Parallel
Napätie - napájanie :
2.7V ~ 3.6V
Prevádzková teplota :
0°C ~ 85°C (TA)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík / Prípad :
64-LBGA
Dodávateľský balík zariadení :
64-FBGA (9x9)
Najnovšie správy
Môže vás tiež zaujímať
-
-
-
AT28HC256-12SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256E-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
W9825G2JB-6I TR
Winbond Electronics
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R
-
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Horúce časti
- CY7C09289V-9AXIT
- AT27BV040-12JU
- MT46V32M16TG-75E:C TR
- MT46V32M16TG-6T:F TR
- AT93C46-10PU-1.8
- MT46V8M16TG-6T:D TR
- AT49BV001NT-12JC
- AT28C64X-25JI
- NM27C010N150
- 93LC56CT-I/SN15KVAO
- W25Q128BVEJP
- AS4C128M32MD2-18BIN
- MT29E384G08EBHBBJ4-3:B
- MT53D4DANY-DC TR
- EDY4016AABG-DR-F-R TR
- S34MS01G200TFA000
- IS66WV51216DBLL-70BLI-TR
- MT35XL256ABA1GSF-0AAT TR
- MT46H128M32L2MC-5 WT:B
- MTFC16GJVEC-IT TR
- DS1245YL-70
- MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E
- M29W128GL70N6F TR
- S29GL256N11FFVR22
- CY7C1472BV33-200BZCT
- IDT71T75902S75PF8
- IDT71T75902S75BGGI
- 71342SA45J
- 71342LA25PF8
- 70V9079S7PF
- 70V07S35PF8
- 70T3599S133DR
- 7006S25J8
- IS42S32800D-7TL-TR
- M58WR064ET70ZB6T
- CY7C0832V-133AXI
- AT24C16BN-SH-T
- S29GL256P10FFIS12
- CY62148DV30LL-55SXIT
- S25FS064SAGMFI011