GeneSiC Semiconductor - MBR600200CT

KEY Part #: K6468492

Detailný popis:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Forward

Rodinné kategórie:: KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - IGBTs - polia, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - JFET, Tranzistory - IGBT - Moduly, Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors), Tyristory - SCR - Moduly, Tyristory - SCR and Moduly ovládača napájania ...

Konkurenčná výhoda:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CT electronic components. MBR600200CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Číslo dielu : MBR600200CT

Výrobca : GeneSiC Semiconductor

popis : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

séria : -

Stav časti : Active

Konfigurácia diódy : 1 Pair Common Cathode

Typ diódy : Schottky

Napätie - DC reverz (Vr) (Max) : 200V

Prúd - priemerný rektifikovaný (Io) (na diódu) : 300A

Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak : 920mV @ 300A

rýchlosť : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Čas spätného obnovenia (trr) : -

Prúd - reverzný únik @ Vr : 3mA @ 200V

Prevádzková teplota - križovatka : -55°C ~ 150°C

Typ montáže : Chassis Mount

Balík / Prípad : Twin Tower

Dodávateľský balík zariadení : Twin Tower

Môže vás tiež zaujímať

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

Horúce časti