Infineon Technologies - IRFR120ZTRPBF

KEY Part #: K6420835

IRFR120ZTRPBF Ceny (USD) [266624ks skladom]

  • 1 pcs$0.13873
  • 2,000 pcs$0.11897

Číslo dielu:
IRFR120ZTRPBF
Výrobca:
Infineon Technologies
Detailný popis:
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Diódy - Usmerňovače - Single, Diódy - Zener - Single, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Tyristory - SCR - Moduly, Diódy - RF, Tyristory - SCR, Moduly ovládača napájania and Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Infineon Technologies IRFR120ZTRPBF electronic components. IRFR120ZTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR120ZTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR120ZTRPBF Atribúty produktu

Číslo dielu : IRFR120ZTRPBF
Výrobca : Infineon Technologies
popis : MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
séria : HEXFET®
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 100V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 8.7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 310pF @ 25V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 35W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : D-Pak
Balík / Prípad : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63