Texas Instruments - CSD16570Q5BT

KEY Part #: K6416298

CSD16570Q5BT Ceny (USD) [56679ks skladom]

  • 1 pcs$0.68986
  • 250 pcs$0.63802
  • 1,250 pcs$0.48291

Číslo dielu:
CSD16570Q5BT
Výrobca:
Texas Instruments
Detailný popis:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - IGBTs - Single, Diódy - usmerňovače, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - špeciálny účel and Diódy - RF ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Texas Instruments CSD16570Q5BT electronic components. CSD16570Q5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD16570Q5BT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD16570Q5BT Atribúty produktu

Číslo dielu : CSD16570Q5BT
Výrobca : Texas Instruments
popis : MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
séria : NexFET™
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 25V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 100A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.59 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 14000pF @ 12V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : 8-VSONP (5x6)
Balík / Prípad : 8-PowerTDFN

Môže vás tiež zaujímať